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各有关单位:
<span style="font-size:13px;font-family:微软雅黑, sans-serif;color:black;line-height:3em;">国家自然科学基金委员会现征集“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划2021年度项目指南建议。现将有关事宜通知如下:
一、指南建议书主要内容
  本重大研究计划面向未来芯片算力问题,聚焦芯片领域发展前沿,拟通过与信息、数理、工程材料、生命等多学科的交叉融合,在超低能耗信息处理新机理、载流子近似弹道输运新机理、具有高迁移率与高态密度的新材料、高密度集成新方法以及非冯计算新架构等方面取得突破,研制出1fJ以下开关能耗的超低功耗器件和超越硅基CMOS载流子输运速度极限的高性能器件,实现算力提升2个数量级以上的非冯∙诺伊曼架构芯片,发展变革型基础器件、集成方法和计算架构。指南建议书主要内容包括:
  (一)对解决本重大研究计划核心科学问题、实现总体目标的贡献;
  (二)围绕解决核心科学问题拟开展的主要研究内容;
  (三)预期可能取得的突破性进展及其可行性论证;
(四)建议资助项目亚类说明。
二、我校申报截止时间:2020102916
三、材料报送
  建议书(双面打印1份,见基金委通知)、《项目申报科研诚信承诺书》1份(见附件)于2020102916时前送至学术会议中心一楼科技服务大厅,同时将电子版发至kyyzrb@hfut.edu.cn(邮件主题:“后摩尔时代新器件基础研究”重大项目立项建议+姓名)。
科研院科研基地建设办公室联系电话:62901951(赵老师)
  附件: 82b992d3-e526-4ce7-8336-5f1cd769a0f1.docx (13.73 KB, 下载次数: 6)

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