3月24日，电子科学与应用物理学院、微电子学院师生参加了诺贝尔物理学奖提名获得者、IEEE尊荣会员、美国国家工程院院士、中国工程院外籍院士——施敏院士所作的题为“The Floating-Gate Memory, from Concept to Flash Memory to the Fourth Industrial Revolution”的高水平学术报告。

报告会上，施敏院士首先讲述了人类历史上的四次工业革命，指出目前我们正处于以人工智能、物联网、大数据、机器人为代表的第四次工业革命的开始阶段，中国如果抓住此次机遇，重点投入，大力发展，必将成为世界第一强国。施敏院士以浮栅存储器的历史渊源作为兴趣导入点，图文并茂地分析了浮栅存储器的优点、原理及其发展历史。随后，施院士介绍了数码存储技术的发展历史，重点回顾了他本人发明浮栅结构非挥发性存储器的具体过程，讲述了浮栅存储器的工作原理、优点和随后的发展历程，详细介绍了浮栅存储器的广泛的应用和对经济社会发展的深远影响，分析了浮栅存储器在尺寸微缩过程中面临的挑战以及各类新型非易失存储器的优点和前景，预测了存储器的未来发展趋势，并再次鼓励同学们为中华之崛起而努力投入到半导体的学习中。

在报告会现场，电子科学与应用物理学院、微电子学院党委副书记、副院长巩惠玲向施敏院士报告了学院获批国家级示范性微电子学院，切实提升人才培养质量，服务国家及安徽省集成电路产业发展，努力为工业报国做出更大贡献的有关情况。施敏院士对合肥工业大学取得的办学成果表示肯定，并希望同学们能够认真学习专业知识，将个人发展和国家发展联系起来，积极践行工业报国的理想。施敏院士特别为电子科学与应用物理学院、微电子学院题词——“传承格物穷理文化，践行工业报国理想”，并与同学们合影留念。

施敏，1936年出生于南京，美籍华人。现任中国工程院外籍院士、美国国家工程院院士、中国台湾中央研究院院士、中国台湾工业研究院院士、IEEE Life Fellow。1991年获得IEEE电子器件最高荣誉奖（Ebers奖）；2017年与Gordon E Moore（戈登·摩尔，摩尔定律之父、英特尔创始人）共同获得IEEE Celebrated Member（尊荣会员）称号，目前全球仅10位科学家获此殊荣。

施敏院士是国际著名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家，是非挥发MOS场效应记忆晶体管（NVSM）的发明者，在金半接触、微波器件及金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术等领域作出了奠基性、前瞻性和开创性的贡献。施敏先生发明的非挥发MOS场效应记忆晶体管（闪存）已成为当今世界上集成电路产业主导产品之一，是移动电话、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的关键部件，还促进了人工智能、大数据、云计算、物联网、机器人和固态驱动器等技术的发展。施敏院士所著的《半导体器件物理学》(Physics of Semiconductor Devices)是目前全世界所有工程及应用科学领域最畅销的教科书之一，曾被翻译成六种语言，销售超过600万册，引用次数达47500多次，有“半导体界的圣经”之称。同时，施敏院士先后在剑桥大学、斯坦福大学、东京理工学院、清华大学、北京大学、上海交通大学、西安交通大学、电子科技大学、香港大学、台湾科技大学、合肥工业大学、安徽大学等国内外多所知名学府讲学，为我国半导体领域培养学生逾千人。

（侯泽君 徐健勋/文 许苏/图）